Architecture de mémoire haute densité à base d'électronique moléculaire tolérante à un très grand nombre de défauts - PASTEL - Thèses en ligne de ParisTech Access content directly
Theses Year : 2006

Architecture de mémoire haute densité à base d'électronique moléculaire tolérante à un très grand nombre de défauts

Abstract

L'électronique moléculaire, partie intégrante des nanotechnologies, résulte de la convergence de différents domaines: la microélectronique, la physique, la chimie ou encore la biologie. L'engouement suscité s'explique par l'espoir de trouver un complément faible coût, voire une alternative viable à l'électronique CMOS sur silicium actuelle, dont les perspectives d'évolution restent floues au-delà de 2015/2020 et dont le coût de fabrication actuel augmente de façon exponentielle. Les dispositifs à base d'électronique moléculaire apparaissent comme des candidats potentiels à l'intégration dans les mémoires du futur. En effet, leur utilisation permettrait d'obtenir, de part leurs dimensions nanométriques, des densités très élevées, bien au-delà de la roadmap silicium, tout en réduisant les coûts de fabrication grâce aux procédés d'auto-assemblage et d'intégration tridimensionnelle. Cependant, l'état de l'art actuel indique qu'il n'existe pas de modélisation appropriée à des simulations complexes et qu'à cette échelle, les variations technologiques d'un composant à l'autre seront très élevées. Les travaux de recherche présentés dans ce manuscrit de thèse proposent un nouveau type d'architecture de mémoire de très haute densité et tolérante aux dispersions, à base de transistor moléculaire à nanofils à effet de champs (NW-FET moléculaire). L'étude présente un modèle continu VHDL-AMS du transistor moléculaire, et deux niveaux de modélisation VHDL-AMS d'une nouvelle cellule mémoire moléculaire haute densité. Enfin, différentes techniques de tolérance aux fortes dispersions (jusqu'à 25% de variations des caractéristiques des dispositifs de base) sont évaluées.
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Dates and versions

pastel-00002014 , version 1 (17-01-2007)

Identifiers

  • HAL Id : pastel-00002014 , version 1

Cite

Antoine Jalabert. Architecture de mémoire haute densité à base d'électronique moléculaire tolérante à un très grand nombre de défauts. domain_other. Télécom ParisTech, 2006. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨pastel-00002014⟩
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