Etching of III-V semiconductors in inductively coupled chlorine plasmas - Archive ouverte HAL Access content directly
Theses Year : 2009

Etching of III-V semiconductors in inductively coupled chlorine plasmas

Gravure des semi-conducteurs III-V par plasmas inductifs chlorés

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Abstract

This thesis work is part of an emerging area of research: plasma etching for photonics and optoelectronics. The control of etching processes requires to predict the energies and fluxes of plasma species as function of the discharge parameters, and to understand the mechanisms of plasma-surface interaction. This work addresses both aspects through fluid modeling and atomistic simulations. We have developed molecular dynamics simulations to understand the fundamental mechanisms that govern the sputtering of two III-V semiconductors (GaAs and GaN) by low energy Ar ions. This numerical study, confronted to a series of experiments, shows that the composition of bombarded materials is modified over a few tens of angstroms and that sputtered Ga atoms leave the surface with energies sufficient to damage the etching sidewalls and passivation layers, in processes dominated by ion bombardment. We have also worked on fluid simulations (two-dimensional and global) to understand the dynamics of inductive chlorine discharges and to study the transport of species within the plasma bulk. Comparisons between model and experiments show that the 2D fluid model overestimates the charged particles densities but predicts fairly well the neutral and ionic composition of the plasma. The global model is the first step toward the modeling of the low power regime of inductive chlorine plasmas ; it has allowed us to study the instabilities that develop at the E to H transition.
Ce travail de thèse s'inscrit dans un domaine de recherche émergeant : la gravure par plasma pour la photonique et l'opto-électronique. La maîtrise des procédés de gravure passe par la prédiction des énergies et des flux d'espèces produites dans le plasma en fonction des paramètres de la décharge, ainsi que par la compréhension des mécanismes d'interaction plasma-surface. Ce travail aborde ces deux aspects au travers de modélisations fluides et de simulations atomistiques. Nous avons développé des simulations de dynamique moléculaire pour comprendre les mécanismes fondamentaux qui régissent la pulvérisation de deux semiconducteurs III-V (GaAs et GaN) par des ions Ar faiblement énergétiques. Cette étude numérique, confrontée à une série d'expériences, montre que la composition des matériaux bombardés est modifiée sur quelques dizaines d'angströms et que les atomes de Ga pulvérisés quittent la surface avec des énergies suffisantes pour endommager les flancs de gravure et briser les couches de passivation, notamment dans les procédés dominés par bombardement ionique. Nous avons également travaillé sur des simulations fluides (bi-dimensionnelles et globales) pour comprendre la dynamique des décharges inductives chlorées et étudier le transport des espèces au sein du plasma. Des confrontations modèle/expérience montrent que le modèle fluide 2D surestime les densités des particules chargées mais prédit de façon satisfaisante la composition neutre et ionique du plasma. Le modèle global constitue le premier pas vers une modélisation du régime basse puissance des plasmas inductifs chlorés ; il nous a permis d'étudier les instabilités qui se développent à la transition E-H.
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Dates and versions

pastel-00005582 , version 1 (25-11-2009)

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  • HAL Id : pastel-00005582 , version 1

Cite

Emilie Despiau-Pujo. Etching of III-V semiconductors in inductively coupled chlorine plasmas. Computer Science [cs]. Ecole Polytechnique X, 2009. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨pastel-00005582⟩
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