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Etude de l'influence du régime d'une décharge à barrière diélectrique dans un mélange HMDSO/N2, sur les propriétés d'un procédé de dépôt

Résumé : Nous avons étudié un procédé de dépôt par décharge à barrière diélectrique à la pression atmosphérique, pour l'obtention de films organosiliciés contenant des fonctions amine. Nous avons étudié l'effet du régime dans lequel opère la décharge sur la production de certaines espèces, telles que CN et CN2. En couplant ces résultats à l'analyse des films réalisés, nous avons pu mettre en évidence le fait que dans un régime filamentaire, le précurseur est fragmenté de manière plus importante. En particulier, les liaisons Si-CH3 sont détruites. Cependant, la quantité d'azote introduite dans le film, qui dépend pour beaucoup de celle de carbone, est plus importante dans le cas d'une décharge de Townsend, et le taux de fonctions amines est plus important. Le taux d'azote dépend également de la nature du substrat. La quantité d'azote introduite dans les films est en effet supérieure dans le cas d'un dépôt sur verre. Aucune explication n'a cependant été apportée à ce phénomène. Des cratères son également apparu dans les films obtenus sur cuivre en régime filamentaire.
Document type :
Theses
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https://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00006139
Contributor : Ecole Chimie Paristech <>
Submitted on : Thursday, September 9, 2010 - 4:48:08 PM
Last modification on : Tuesday, September 22, 2020 - 3:58:41 AM
Long-term archiving on: : Thursday, December 1, 2016 - 5:51:14 AM

Identifiers

  • HAL Id : pastel-00006139, version 1

Citation

Remy Maurau. Etude de l'influence du régime d'une décharge à barrière diélectrique dans un mélange HMDSO/N2, sur les propriétés d'un procédé de dépôt. Chimie. Chimie ParisTech, 2009. Français. ⟨pastel-00006139⟩

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