Non-linearites optiques resultant de l'excitation du defaut natif el2 dans GaAs.
Abstract
Les non-linearites de l'arséniure de gallium (gaas) sont étudies a la longueur d'onde 1,06 micron en regime nanoseconde et picoseconde. En régime nanoseconde, les porteurs libres (electrons et trous) sont crees par photoionisation des centres profonds el2. Ils provoquent une variation de permittivite du milieu tandis que l'évolution des densités de centres neutres et ionises change principalement l'absorption. L'etude de la réflectivité par une expérience de conjugaison de phase montre qu'un troisieme effet doit être pris en compte pour de forte énergie, le mouvement non-lineaire des electrons. Cet effet est étudie dans un échantillon dope n d'arseniure de gallium. Aucune amplification n'a ete observée dans des expériences de mélange a deux ondes. En régime picoseconde, la variation de permittivité induite par absorption a deux photons prédomine sur les effets presentes précédemment. Nous montrons que les non-linearites sont suffisamment importantes pour obtenir de forte amplification (fois 25) dans un mélange a deux ondes.