Dépôt de films minces ferroélectriques de Pb(Zr,Ti)03 par pulvérisation cathodique RF magnétron. - PASTEL - Thèses en ligne de ParisTech Accéder directement au contenu
Thèse Année : 1999

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Dépôt de films minces ferroélectriques de Pb(Zr,Ti)03 par pulvérisation cathodique RF magnétron.

Résumé

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L'objet de cette étude est une meilleure compréhension (i) des mécanismes de dépôt, a basse température, de films de PZT par pulvérisation réactive d'une cible métallique et (ii) des conditions de recuit rapide sur des électrodes de pt et de RUO 2. Une première partie concerne la caractérisation in situ des plasmas AR et AR/O 2 par spectroscopie optique d'émission. Cet outil de diagnostic nous a permis d'étudier le comportement qualitatif des espèces présentes au sein de la décharge en fonction des paramètres de dépôt tels que la pression, la densité de puissance RF et les débits d'AR et d'O 2. Nous en déduisons une corrélation étroite entre l'intensité des raies caractéristiques des espèces métalliques et de l'oxygène et la composition physico-chimique des films déterminée par analyse nucléaire (NRA, RBS) avec une précision à 2%. En outre, cette étude nous a permis de déterminer des conditions particulières de décharge (régime quasi-métallique) pour lesquelles la composition du film dépose est proche de la stichométrie requise. Une deuxième partie est consacrée à l'analyse des propriétés physico-chimiques, structurales et électriques des films de PZT. Suite à cette étude nous montrons qu'il est possible, grâce a un recuit rapide post-dépôt a 550\c pendant 1 seconde sous O 2, d'optimiser les propriétés ferroélectriques de films de PZT de 90 nm d'épaisseur déposes sur RUO 2. La structure capacitive RUO 2/PZT/RUO 2 présente alors une densité de courant de fuite très faible, de l'ordre de 10 8 a.cm 2 sous 1 v. Enfin, l'utilisation de la technique de traçage isotopique à l'oxygène 18 a permis d'étudier l'effet de la température de recuit sur le profil de concentration en oxygène dans le film. Nous en déduisons que la composition du film en oxygène après le recuit influence fortement les propriétés électriques du film.
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Dates et versions

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  • HAL Id : tel-01136441 , version 1

Citer

Tito Ayguavives. Dépôt de films minces ferroélectriques de Pb(Zr,Ti)03 par pulvérisation cathodique RF magnétron. : Etude corrélée du plasma et des propriétés physiques des films déposés.. Optique [physics.optics]. université de Paris Sud, 1999. Français. ⟨NNT : 1999PA112171⟩. ⟨tel-01136441⟩
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