STUDY OF IN-PLANE SILICON NANOWIRES OBTAINED VIA A SOLID-LIQUID-SOLID GROWTH PROCESS AND THEIR SELF- ORGANIZATION FOR ELECTRONIC APPLICATIONS

Résumé : Celle-ci est la première thèse sur la fabrication et caractérisation de nanofils de silicium (SiNWs) horizontaux basé sur des techniques de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD). La croissance de nanofils de silicium dans le plan de l’échantillon découle de l’interaction entre une goutte métallique et une couche de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). Dans ce procédé la nanoparticule d’indium liquide (NP) se déplace sur un substrat couvert d’une couche d’a-Si:H. Lors de son déplacement la NP dissout et absorbe la couche d’a-Si:H sur sa face avant et précipite un nanofil de silicium cristallin (c-Si) par sa face arrière. Ce mode de croissance de nanofils, que nous avons appelé in-plane solid-liquid-solid (IPSLS), peut être considéré comme un processus de mouillage réactif dans lequel le déplacement de l’indium liquide sur le a-Si:H est activé par l’établissement d’un gradient d’énergie superficielle entre le a-Si:H en face avant de la NP et le c-Si à l’arrière. Afin d’intégrer les nanofils dans dispositifs électroniques (transistors), il est primordial de les organiser d’une manière contrôlée. Nous proposons une méthode pour guider la croissance des nanofils basée sur la formation de marches sur le substrat par des techniques de nanofabrication. Qui plus est, nous avons développé une technique de formation de NPs d’In à la surface d’une paroi d’oxyde d’indium et étain (ITO) enterrée. Ceci permet la localisation du point de départ des nanofils. Cette stratégie de croissance de nanofils établit les bases pour la fabrication de transistors à base de nanofils de silicium sur l’isolant, ce qui ouvre la voie à la réalisation de transistors complétement déplétés sur isolant (FD-SOI).
Type de document :
Thèse
Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]. Ecole Polytechnique, 2015. English
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Contributeur : Zheng Fan <>
Soumis le : lundi 2 mai 2016 - 20:03:51
Dernière modification le : jeudi 10 mai 2018 - 01:58:27
Document(s) archivé(s) le : mardi 24 mai 2016 - 18:24:06

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Zheng Fan. STUDY OF IN-PLANE SILICON NANOWIRES OBTAINED VIA A SOLID-LIQUID-SOLID GROWTH PROCESS AND THEIR SELF- ORGANIZATION FOR ELECTRONIC APPLICATIONS. Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]. Ecole Polytechnique, 2015. English. 〈tel-01310585〉

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